KRMSVC型高壓動態無功補償裝置是MCR、電容器分組投切和變壓器有載調壓功能為一體的無功補償及電壓優化自動控制裝置。MCR是一種“磁閥”式可控飽和電抗器，通過直流控制電流的勵磁改變鐵芯的磁飽合度，從而達到平滑調節無功輸出的目的，由于電容器分組，實現雙向無功動態連續調節，另外MCR容量采用只需接近電容器單組大容量，就能達到合理的補償要求，降低設備的造價，同時運行損耗大大降低。

裝置原理和組成

MSVC磁控動態無功補償成套裝置由MSVC主控制屏、磁控電抗器(MCR)支路、補償(濾波)支路組成，能夠實現無功功率的連續動態補償。其中補償(濾波)支路主要由電容器、電抗器、放電線圈和保護元件等組成。具有提供容性無功補償和濾波的功能，磁控電抗器(MCR)支路由磁控電抗器(MCR)主體、ST型移相觸發控制裝置等組成，具有動態調節無功功率的功能。MSVC主控制屏由MSVC主控單元、智能式過零分合閘控制器、電抗器微機保護、電容器微機保護以及相關附屬設備組成。

訂貨須知

系統額定電壓

額定容量（磁控電抗器容量+電容器安裝容量）

主變臺數

電容器支路分組數

系統諧波背景

安裝方式及地點

使用環境

主要特點

●“磁閥”式可控飽和電抗器(MCR)，采用自耦直流勵磁技術不需要外接直流勵磁電源，完全由電抗器的內部繞組來實現控制。

●通過對低壓可控硅的控制，達到高壓系統無功調節，可靠性高，成本低。

●電抗器鐵芯處于極限磁飽工作方式，使諧波大大減少，而且具有有功損耗低、響應速度快、無功輸出連續平滑的特點。

●采用光隔離移相觸發技術，光纖傳輸移相觸發，高電位自取電控制，提高了系統絕緣水平，增強了裝置抗干擾能力，減少了設備的體積。

功能特點

1、控制系統采用基于DSP芯片的多CPU控制器，具有高度的可靠性和穩定性，而且運算速度快，能夠實現復雜的算法。

2、模塊化設計，擴展靈活。

3、可控硅采用高質量元件，高壓取能，光電觸發，BOD保護，系統抗干擾強，運行可靠。

4、監控部分由上位監控機，人機顯示界面及其他相應終端器件構成?？梢詫ο到y電能質量進行持續監控。

5、可直掛6KV、10KV、35KV、27.5KV電壓等級。

6、可實現三相同時控制，分相控制，三相平衡控制。

7、具有硬件保護和后備微機保護。

技術參數

電壓等級：6~35KV

額定頻率：50Hz

控制精度：0.5%

可控硅冷卻方式：自冷、風冷

動態響應時間：〈1000ms

控制方式：無功功率

過載能力：110%

噪音水平：65dB

交流電源

額定電壓：三相380V、單相220V

允許偏差：-20%~+40%

頻率：AC，50±1Hz

功率：三相380V不大于10KW/相。單相220V不大于3KV

直流電源

額定電壓：220V

允許偏差：-10%~+10%

功率：≤550W

主要特點

●“磁閥”式可控飽和電抗器(MCR)，采用自耦直流勵磁技術不需要外接直流勵磁電源，完全由電抗器的內部繞組來實現控制。

●通過對低壓可控硅的控制，達到高壓系統無功調節，可靠性高，成本低。

●電抗器鐵芯處于極限磁飽工作方式，使諧波大大減少，而且具有有功損耗低、響應速度快、無功輸出連續平滑的特點。

●采用光隔離移相觸發技術，光纖傳輸移相觸發，高電位自取電控制，提高了系統絕緣水平，增強了裝置抗干擾能力，減少了設備的體積。

功能特點

1、控制系統采用基于DSP芯片的多CPU控制器，具有高度的可靠性和穩定性，而且運算速度快，能夠實現復雜的算法。

2、模塊化設計，擴展靈活。

3、可控硅采用高質量元件，高壓取能，光電觸發，BOD保護，系統抗干擾強，運行可靠。

4、監控部分由上位監控機，人機顯示界面及其他相應終端器件構成。可以對系統電能質量進行持續監控。

5、可直掛6KV、10KV、35KV、27.5KV電壓等級。

6、可實現三相同時控制，分相控制，三相平衡控制。

7、具有硬件保護和后備微機保護。

技術參數

電壓等級：6~35KV

額定頻率：50Hz

控制精度：0.5%

可控硅冷卻方式：自冷、風冷

動態響應時間：〈1000ms

控制方式：無功功率

過載能力：110%

噪音水平：65dB

交流電源

額定電壓：三相380V、單相220V

允許偏差：-20%~+40%

頻率：AC，50±1Hz

功率：三相380V不大于10KW/相。單相220V不大于3KV

直流電源

額定電壓：220V

允許偏差：-10%~+10%

功率：≤550W